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MBR20200CT中文资料肖特基势垒整流器,200 V,20 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

MBR20200CT

参数属性

MBR20200CT 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220

功能描述

肖特基势垒整流器,200 V,20 A
DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-22 23:00:00

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MBR20200CT规格书详情

描述 Description

The Schottky Rectifier uses Schottky Barrier technology with a platinum barrier metal. This state of the art device is designed for use in high frequency switching power supplies and converters with up to 48 volt outputs. This device blocks up to 200 volts and offers improved Schottky performance at frequencies from 250 kHz to 5.0 MHz.

特性 Features

• 200 Volt Blocking Voltage
• Low Forward Voltage Drop
• Guardring for Stress Protection and High dv/dt Capability (10,000 V/µs)
• Dual Diode Construction - Terminals 1 and 3 Must be Connected for Parallel Operation at Full RatingMechanical Characteristics:
• Case: Epoxy, Molded
• Weight: 1.9 grams (approximately)
• Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal Leads are Readily Solderable
• Lead Temperature for Soldering Purposes: 260 °C Max. for 10 Seconds
• Shipped 50 units per plastic tube
• Marking: B20200
• Pb-Free Package is Available

简介

MBR20200CT属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的MBR20200CT二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :MBR20200CT

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Common Cathode

  • VRRM Min (V)

    :200

  • VF Max (V)

    :1

  • IRM Max (µA)

    :10

  • IO(rec) Max (A)

    :20

  • IFSM Max (A)

    :150

  • trr Max (ns)

    :-

  • Cj Max (pF)

    :500

  • Package Type

    :TO-220-3

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