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MBR20030CT分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

MBR20030CT

参数属性

MBR20030CT 封装/外壳为双塔架;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

功能描述

Silicon Schottky Diode, 200A

封装外壳

双塔架

文件大小

135.94 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

NAINA

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数据手册

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更新时间

2026-2-9 19:57:00

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MBR20030CT规格书详情

特性 Features

• Guard Ring Protection

• Low forward voltage drop

• High surge current capability

• Up to 100V VRRM

产品属性

  • 产品编号:

    MBR20030CT

  • 制造商:

    GeneSiC Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对共阴极

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    200A(DC)

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    双塔架

  • 供应商器件封装:

    双塔架

  • 描述:

    DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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