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MBR20030中文资料Diode Schottky 30V 200A HALF PACK数据手册NJS规格书

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厂商型号

MBR20030

参数属性

MBR20030 封装/外壳为双塔架;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE MODULE 30V 200A 2TOWER

功能描述

Diode Schottky 30V 200A HALF PACK

封装外壳

双塔架

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-9-21 17:06:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MBR20030

  • 生产厂家

    :NJS

  • Peak Reverse Repetitive Voltage

    :30V

  • Peak Reverse Current

    :5000uA

  • Peak Non-Repetitive Surge Current

    :3000A

  • Peak Forward Voltage

    :0.63V

  • Minimum Operating Temperature

    :-65°C

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Continuous Forward Current

    :200A

  • Configuration

    :Single

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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