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MMAJ-20020LA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020LY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020MA	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MMAJ-20020MY	文件：127.15 Kbytes Page：3 Pages	LightningSurgeProtectorsforElectronicsEquipmentM-RESTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
MUR20020CT	文件：135.46 Kbytes Page：3 Pages	200AmpSupreFastRecoveryRectifier50to600Volts Features •HighSurgeCapability •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •SupreFastswitchingforhighefficiency	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MUR20020CT	文件：391.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto200VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CT	文件：405.49 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS Features •HighSurgeCapability •Typesupto600VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MUR20020CT	文件：139.18 Kbytes Page：2 Pages	SuperFastRecoveryDiode,200A Features •DualDiodeConstruction •LowLeakageCurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecurrentcapability •SuperFastSwitching	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MUR20020CT	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MUR20020CTR	文件：694.09 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

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产品属性

产品编号：
MBR20020CTR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200A（DC）
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
双塔架
供应商器件封装：
双塔架
描述：
DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR20020CTR供应商更新时间2025-5-10 10:18:00

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