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MBR1660CT	文件：585.67 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-16.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Highte	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1660CT	文件：123.81 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurge	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR1660CT	文件：925.12 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1660CT	文件：220.29 Kbytes Page：1 Pages	16ASchottkyBarrierRectifier	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
MBR1660CT	文件：936.4 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1660CT	文件：137.76 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •LowForwardVoltage •150℃OperatingJunctionTemperature •GuaranteedReverseAvalanche •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •LowStoredChargeMajorityCarrierConduction	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR1660CT	文件：133.53 Kbytes Page：4 Pages	Highfrequencyoperation Features: •150℃TJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •This	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBR1660CT	文件：935.97 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1660CT	文件：936.35 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1660CT	文件：72.91 Kbytes Page：2 Pages	UltrafastRecoveryRectifier FEATURES •UltrafastRecoveryTime •LOWrorwaravouage •LowLeakageCurrent •175°COperatingJunctionTemperature •HighTemperatureGlassPassivatedJunction	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
MBR1660_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 19 amp Rectifier Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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