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MBR1635-F-CT	文件：1.27669 Mbytes Page：3 Pages	TO-220Plastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
MBR1635G	文件：107.1 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers16A,35and45V SWITCHMODE™PowerRectifiers16A,35and45V Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •Guard−ringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1635G	文件：68.71 Kbytes Page：5 Pages	SwitchModePowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1635G	文件：177.88 Kbytes Page：7 Pages	SwitchModePowerRectifiers16A,35and45V Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciple withaplatinumbarriermetal. Features •Guard−ringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •NRVBPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlCha	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1635PBF	文件：108.95 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,16A DESCRIPTION TheMBR16..Schottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,and	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1635PBF	文件：183.73 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER16Amp(IF(AV)=16Amp,VR=35-45V) Description/Features TheMBR16..PbFSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheelin	IRF International Rectifier	IRF
MBR1635PBF	文件：153.83 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyRectifier,16A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1635PT	文件：209.28 Kbytes Page：2 Pages	DUALSCHOTTKYRECTIFIERS Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR1635PT	文件：1.99851 Mbytes Page：2 Pages	DualSchottkyRectifiers Features ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR1635R	文件：353.53 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-35to60V ForwardCurrent-16A Features •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Highcurrentcapability •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverte	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

详细参数

型号：
MBR1635_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 16 amp Rectifier Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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