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MBR12035CTR分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MBR12035CTR |
| 参数属性 | MBR12035CTR 封装/外壳为双塔架；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER |
| 功能描述 | Silicon Power Schottky Diode |
| 封装外壳 | 双塔架 |
| 文件大小 |
465.54 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
| 企业简称 |
GENESIC |
| 中文名称 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 10:30:00 |
| 人工找货 | MBR12035CTR价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBR12035CTR规格书详情
MBR12035CTR属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由GeneSiC Semiconductor, Inc.制造生产的MBR12035CTR二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。
特性 Features
• High Surge Capability
• Types from 20 V to 40 V VRRM
• Not ESD Sensitive
产品属性
更多- 产品编号：
MBR12035CTR
- 制造商：
GeneSiC Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
散装
- 二极管配置：
1 对共阳极
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
120A（DC）
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
双塔架
- 供应商器件封装：
双塔架
- 描述：
DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
GeneSiC Semiconductor |
22+ |
Twin Tower |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
GeneSiC |
1935+ |
N/A |
23 |
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询价 | ||
MOTOROLA |
24+ |
MODULE |
2050 |
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询价 | ||
GeneSiC |
22+ |
NA |
23 |
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询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
48000 |
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MOTOROLA |
2018 |
模块 |
300 |
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NSL |
23+ |
120A35V |
13000 |
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MOTOROLA |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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IXFN |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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