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MBR1035CT	文件：207.44 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfreque	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR1035CT	文件：276.91 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MBR1035CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1035CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1035CT	文件：201.82 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1035CT	文件：219.73 Kbytes Page：2 Pages	DUALSCHOTTKYRECTIFIERS VOLTAGERANGE:20-60VCURRENT:10A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,free wheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guar	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR1035CT	文件：1.13967 Mbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1035CT	文件：94.58 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR1035CT	文件：197.32 Kbytes Page：2 Pages	SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers SwitchmodeFullPlasticDualSchottkyBarrierPowerRectifiers UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrec	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MBR1035CT	文件：356.38 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER REVERSEVOLTAGE:35to200VOLTS FORWARDCURRENT:10.0AMPERE FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Foru	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY

详细参数

型号：
MBR1035_Q
功能描述：
肖特基二极管与整流器 10 amp Rectifiers Schottky Barrier
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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