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MBR10100G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

MBR10100G
厂商型号

MBR10100G

参数属性

MBR10100G 封装/外壳为TO-220-2;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2

功能描述

SWITCHMODE Power Rectifiers
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2

封装外壳

TO-220-2

文件大小

58.09 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 17:25:00

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MBR10100G规格书详情

MBR10100G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的MBR10100G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

SWITCHMODE™ Power Rectifiers

This series of SWITCHMODE power rectifiers uses the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal. These state−of−the−art devices have the following features:

特性 Features

• Guard−Ring for Stress Protection

• Low Forward Voltage

• 175°C Operating Junction Temperature

• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

• Low Power Loss/High Efficiency

• High Surge Capacity

• Low Stored Charge Majority Carrier Conduction

• Pb−Free Packages are Available*

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MBR10100G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2

  • 供应商器件封装:

    TO-220-2

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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