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MBR10100-M3	文件：94.22 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC 文件：94.22 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10100-M3	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vish 文件：110.87 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10100-M3/4W	文件：116.69 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier 文件：116.69 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10100-M3SLASH4W	文件：116.69 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier 文件：116.69 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR10100-M3/4W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
MBR10100-M3
制造商：
Vishay Semiconductors
功能描述：
10A,100V,TRENCH SKY RECT.

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更多MBR10100-M3供应商更新时间2025-10-4 11:01:00

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