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MB85RS16PNF-G-JNERE1	文件：1.86101 Mbytes Page：28 Pages	16 K (2 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS16 is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS16 adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). The 文件：1.86101 Mbytes 页数：28 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS16PNF-G-JNERE1	文件：299.67 Kbytes Page：32 Pages	16 K (2 K횞8) ?볝긿?늆PI 文件：299.67 Kbytes 页数：32 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RS16PNF-G-JNERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RS16	文件：299.67 Kbytes Page：32 Pages	16 K (2 K횞8) ?볝긿?늆PI 文件：299.67 Kbytes 页数：32 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu
MB85RS16	文件：1.86101 Mbytes Page：28 Pages	16 K (2 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS16 is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 2,048 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS16 adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). The 文件：1.86101 Mbytes 页数：28 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS16N	文件：375.92 Kbytes Page：28 Pages	16 K (2 K 횞 8) Bit SPI 文件：375.92 Kbytes 页数：28 Pages	Fujitsu 富士通	Fujitsu

产品属性

产品编号：
MB85RS16PNF-G-JNERE1
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
SPI
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOP

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