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MB85RS128BPNF-G-JNE1	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128BPNF-G-JNERE1	文件：2.35094 Mbytes Page：31 Pages	128K (16 K X 8) Bit SPI DESCRIPTION MB85RS128B is a FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip in a configuration of 16,384 words  8 bits, using the ferroelectric process and silicon gate CMOS process technologies for forming the nonvolatile memory cells. MB85RS128B adopts the Serial Peripheral Interface (SPI). 文件：2.35094 Mbytes 页数：31 Pages	RAMXEED 富士通	RAMXEED
MB85RS128BPNF-G-JNE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.
MB85RS128BPNF-G-JNERE1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP	Kaga FEI America, Inc.	Kaga FEI America, Inc.

产品属性

产品编号：
MB85RS128BPNF-G-JNERE1
制造商：
Kaga FEI America, Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
128Kb（16K x 8）
存储器接口：
SPI
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOP
描述：
IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP

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更多MB85RS128BPNF-G-JNE供应商更新时间2025-10-31 9:31:00

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