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AN-996	文件：198.22 Kbytes Page：2 Pages	UsingtheFairchildFSTBusSwitchasa5Vto3VTranslator Introduction FairchildFSTBusSwitchescanbeusedforbi-directionaltranslators.Theycaninterface5Vcomponentsto3Vcomponentswithnegligiblepropagationdelay(tPD≤250ps)andminimalpowerdissipation(ICC≤10µA). Asthenumberofsystemsthatinterfacebetween5Vand3.3Vlevelsinc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BF996S	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF996S	文件：135.94 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETTetrode(ForinputstagesinUHFTVtunersHightransconductanceLownoisefigure) SiliconNChannelMOSFETTetrode ●ForinputstagesinUHFTVtuners ●Hightransconductance ●Lownoisefigure	SIEMENS Siemens Ltd
BF996S	文件：68.68 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode Features ●Integratedgateprotectiondiodes ●Lownoisefigure ●Lowfeedbackcapacitance ●Highcrossmodulationperformance ●Lowinputcapacitance ●HighAGC-range Applications InputandmixerstagesinUHFtuner.	TemicTEMIC 杰驰电子
BF996S	文件：35.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦
BF996S	文件：37.31 Kbytes Page：5 Pages	N-channeldual-gateMOS-FET	JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd. 泉州锦美泉州锦美电子有限公司
BF996S	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
BF996SA	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技
BF996SB	文件：133.7 Kbytes Page：8 Pages	N.ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode DESCRIPTION Depletiontypefield-effecttransistorinaplasticSOT143microminiaturepackagewithinterconnectedsourceandsubstrate. FEATURES •Protectedagainstexcessiveinputvoltagesurgesbyintegratedback-to-backdiodesbetweengatesandsource. APPLICATIONS •RFapplicationssucha	VishayVishay Siliconix 威世科技
F996	文件：178.87 Kbytes Page：2 Pages	ATOBladeFuseRated32V	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
F996-ND	文件：178.87 Kbytes Page：2 Pages	ATOBladeFuseRated32V	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
G996	文件：153.45 Kbytes Page：1 Pages	1.6XLinearFanDriver	GMTGlobal Mixed-mode Technology 致新科技
MAX996	文件：141.82 Kbytes Page：12 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailI/OComparators GeneralDescription TheMAX987/MAX988/MAX991/MAX992/MAX995/MAX996single/dual/quadmicropowercomparatorsfeaturelow-voltageoperationandrail-to-railinputsandoutputs.Theiroperatingvoltagerangesfrom+2.5Vto+5.5V,makingthemidealforboth3Vand5Vsystems.Thesecomparatorsalsoope	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailI/OComparators	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailIOComparators	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage GeneralDescription TheMAX987/MAX988/MAX991/MAX992/MAX995/MAX996single/dual/quadmicropowercomparatorsfeaturelow-voltageoperationandrail-to-railinputsandoutputs.Theiroperatingvoltagerangesfrom+2.5Vto+5.5V,makingthemidealforboth3Vand5Vsystems.Thesecomparatorsalsoope	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996ESD	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailIOComparators	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996ESD	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage GeneralDescription TheMAX987/MAX988/MAX991/MAX992/MAX995/MAX996single/dual/quadmicropowercomparatorsfeaturelow-voltageoperationandrail-to-railinputsandoutputs.Theiroperatingvoltagerangesfrom+2.5Vto+5.5V,makingthemidealforboth3Vand5Vsystems.Thesecomparatorsalsoope	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996ESD	文件：141.82 Kbytes Page：12 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailI/OComparators GeneralDescription TheMAX987/MAX988/MAX991/MAX992/MAX995/MAX996single/dual/quadmicropowercomparatorsfeaturelow-voltageoperationandrail-to-railinputsandoutputs.Theiroperatingvoltagerangesfrom+2.5Vto+5.5V,makingthemidealforboth3Vand5Vsystems.Thesecomparatorsalsoope	MaximMaximIntegrated 美信半导体
MAX996EUD	文件：329.88 Kbytes Page：13 Pages	High-Speed,Micropower,Low-Voltage,SOT23,Rail-to-RailIOComparators	MaximMaximIntegrated 美信半导体

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详细参数

型号：
MAX996EUD+
功能描述：
校验器 IC Quad uPower Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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