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918	文件：204.08 Kbytes Page：3 Pages	M12?륚PlasticPassiveI/OBox	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
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ADG918	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BCP	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：120.42 Kbytes Page：4 Pages	Wideband,43dBIsolation1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDTSwitches GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOSprocesstoprovidehighisolationandlowinsertionlossto1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflectiveswitch.Thesedevicesaredesignedsuchth	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRM-REEL	文件：570.61 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG918BRMZ-REEL	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
CMBT918	文件：132.42 Kbytes Page：3 Pages	VHF/UHFTRANSISTOR	CDIL CDIL	CDIL
CMBT918	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
CMPT918	文件：78.02 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT918typeisanNPNsiliconRFtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighfrequency(VHF/UHF)amplifierandoscillatorapplications. MARKINGCODE:C3B	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN-RFTransistorChip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CT918CYF	文件：163.76 Kbytes Page：1 Pages	PowerInductors-Shielded Description:SMD(shielded)powerinductor Applications:PowersuppliesforVTR,OAequipment,LCDtelevisions,PCnotebooks,portablecommunicationequipment,DC/DCconverters,etc.	CTCentral Technologies 中基科技中基科技（香港）有限公司	CT
CVXO-918T	文件：113.47 Kbytes Page：1 Pages	VoltageControlledCrystalOscillator	CRYSTEKCRYSTAL Crystek Corporation	CRYSTEKCRYSTAL
EVAL-ADG918EBZ	文件：652.7 Kbytes Page：16 Pages	Wideband4GHz,43dBIsolationat1GHz,CMOS1.65Vto2.75V,2:1Mux/SPDT GENERALDESCRIPTION TheADG918/ADG919arewidebandswitchesusingaCMOS processtoprovidehighisolationandlowinsertionlossto 1GHz.TheADG918isanabsorptive(matched)switchhaving 50Ωterminatedshuntlegs,whereastheADG919isareflective switch.Thesedevicesaredesignedsuc	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
FMMT918	文件：52.92 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FMMT918	文件：47.26 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT918TA	文件：52.92 Kbytes Page：1 Pages	SOT23NPNSILICONPLANARVHF/UHFTRANSISTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
MAX918EUK+T
功能描述：
校验器 IC 1.8V nPower Comparator
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MAX918EUK+T供应商更新时间2024-4-29 16:18:00

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