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NCP9003	文件：285.27 Kbytes Page：22 Pages	CompactBacklightLEDBoostDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PDV-P9003	文件：89.06 Kbytes Page：1 Pages	CdSPhotoconductivePhotocells	ADVANCEDPHOTONIX Advanced Photonix, Inc.	ADVANCEDPHOTONIX
PE9003	文件：244.4 Kbytes Page：3 Pages	BNCTeeAdapterFemale-Female-Female	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PMD9003D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMD9003D	文件：244.54 Kbytes Page：16 Pages	MOSFETdriver Features Twotransistorsandonehigh-speedswitchingdiodeasdriver Totempoleconfiguration Application-optimizedpinout Internalconnectionstominimizelayouteffort Space-savingsolution Reducescomponentcount	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
RFLA9003	文件：1.07122 Mbytes Page：11 Pages	DualLowNoiseAmplifierModule1710MHzto2180MHz	QORVOQorvo, Inc 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	QORVO
RFLA9003	文件：1.07122 Mbytes Page：11 Pages	DualLowNoiseAmplifierModule1710MHzto2180MHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFLA9003SQ	文件：1.07122 Mbytes Page：11 Pages	DualLowNoiseAmplifierModule1710MHzto2180MHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFLA9003SR	文件：1.07122 Mbytes Page：11 Pages	DualLowNoiseAmplifierModule1710MHzto2180MHz	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RM9003B	文件：197.95 Kbytes Page：2 Pages	High-voltagelinear220V/18W/externalT8tubelightscheme	REACTORShaanxi Reactor Microelectronics Co., Ltd. 亚成微陕西亚成微电子股份有限公司	REACTOR

详细参数

型号：
MAX9003EUA-T
功能描述：
高速运算放大器 Op Amp Comparator Reference IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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