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PZT882J-GR-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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PZT882J-Y-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S-882Z	文件：560.91 Kbytes Page：24 Pages	ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP TheS-882ZSeriesisachargepumpICforstep-upDC-DCconverterstartup,whichdiffersfromconventionalchargepumpICs,inthatitusesfullydepletedSOI(SilicononInsulator)technologytoenableultra-lowvolta	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
SIE882DF	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE882DF	文件：207.21 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIE882DF	文件：230.02 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIIIpowerMOSFET •Ultralowthermalresistanceusingtop-exposed PolarPAK®packagefordouble-sidedcooling •Leadframe-basedencapsulatedpackage -Dienotexposed -Samelayoutregardlessofdiesize,100V •LowQgd/Qgsratiohelpspreventshoot-through •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882ADP	文件：512 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MAX882CSA-T
功能描述：
低压差稳压器 - LDO 5/3.3/AdjV 200mA Linear Regulator
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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