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RB876W	文件：968.96 Kbytes Page：3 Pages	Shottkybarrierdiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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RB876W	文件：1.11604 Mbytes Page：7 Pages	DetectionSchottkyDiodes	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SC876F	文件：394.4 Kbytes Page：11 Pages	Eight-digitcalculator	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
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SIR876ADP	文件：188.57 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR876ADP	文件：367.8 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFETs FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •DC/DCprimarysideswitch •Telecom/server48V, full/half-bridgeDC/DC •Industrial	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
MAX876BCSA+
功能描述：
基准电压& 基准电流 10V Precision Voltage Reference
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Voltage References
拓扑结构：
Shunt References
参考类型：
Programmable
输出电压：
1.24 V to 18 V
初始准确度：
0.25 %
平均温度系数（典型值）：
100 PPM/C 串联 VREF -
输入电压（最大值）：
串联 VREF -
分流电流（最大值）：
60 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
SOT-23-3L
封装：
Reel

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