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ITF86174SQT

9A,30V,0.016Ohm,P-Channel,LogicLevel,PowerMOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.016Ω,VGS=−10V -rDS(ON)=0.024Ω,VGS=−4.5V -rDS(ON)=0.027Ω,VGS=−4V •GatetoSourceProtectionDiode •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABERElectricalModels -SpiceandSABERThermal

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

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更多MAX86174AENE+T供应商 更新时间2024-6-22 8:00:00