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MAX853ISA	文件：118.93 Kbytes Page：8 Pages	Low-Noise,Regulated,NegativeCharge-PumpPowerSuppliesforGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX850–MAX853low-noise,inverting,chargepumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers. TheMAX850–MAX852offerbothpreset(-4.1V)andadjustable(-0.5Vto-9.0V)outputvoltages.TheMAX853usesanexternalpositiveco	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MC853	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPC853T	文件：1.51159 Mbytes Page：88 Pages	MPC853THardwareSpecification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MPC853TEC	文件：1.51159 Mbytes Page：88 Pages	MPC853THardwareSpecification	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MUR853	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR853	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MZ853	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NDH853N	文件：82.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.Thes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NTE853	文件：23.5 Kbytes Page：2 Pages	IntegratedCircuitLowPower,NarrowBand,FMIFSystem Description: TheNTE853isalowpowernarrowbandFMIFsystemwhichincludes:Oscillator,Mixer,LimitingAmplifier,QuadratureDiscriminator,ActiveFilter,Squelch,ScanControlandMuteSwitch.TheNTE853isdesignedforuseinFMdualconversioncommunicationsequipment. Features: ●LowD	NTE NTE Electronics	NTE
PC853	文件：102.76 Kbytes Page：5 Pages	HighCollector-emitterVoltageTypePhotocouplers 1.Highcollector-emittervoltage 2.Highcurrenttransferratio 3.Highisolationvoltagebetweeninputandoutput 4.Compactdual-in-linepackage	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP

详细参数

型号：
MAX853ESA-T
功能描述：
电荷泵 Regulated Negative Charge Pump
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
功能：
Inverting, Step Up
输出电压：
- 1.5 V to - 5.5 V, 3 V to 11 V
输出电流：
100 mA
电源电流：
1 mA
最大工作温度：
+ 70 C
封装/箱体：
SOIC-8 Narrow
封装：
Tube

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