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PIC8518	文件：127.25 Kbytes Page：2 Pages	HighEfficiency,FixedFrequencyWLEDDriver	PICSEMI Power IC Ltd.	PICSEMI
SE8518X	文件：2.71466 Mbytes Page：5 Pages	Ultra-Low-lq,LowDropoutLDO Features «2.5pA(Typ)CurrentatnoLoad «£2%OutputAccuracy «200mAOutputCurrent «CurrentLimitProtection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
SI8518-B-GM	文件：341.53 Kbytes Page：24 Pages	UNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI8518-B-GM	文件：385.65 Kbytes Page：37 Pages	Si85XXUNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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WSBE8518	文件：150.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMetalStrip®ShuntResistor,LowTCR(Downtoppm/°C),VeryLowValue(Downto15μΩ) FEATURES •Highpowercapabilitythatenablescurrent sensingto1825A •Proprietaryprocessingtechniqueproduces extremelylowresistancevalues •Allweldedconstruction •Solidmetalnickel-chromealloyresistive elementwithuniquedesignforlowTCR (downto±10ppm/°C) •Verylow	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WSBE8518	文件：150.47 Kbytes Page：8 Pages	PowerMetalStrip®ShuntResistor,LowTCR(Downtoppm/°C),VeryLowValue(Downto15μΩ) FEATURES •Highpowercapabilitythatenablescurrent sensingto1825A •Proprietaryprocessingtechniqueproduces extremelylowresistancevalues •Allweldedconstruction •Solidmetalnickel-chromealloyresistive elementwithuniquedesignforlowTCR (downto±10ppm/°C) •Verylow	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WSBM8518	文件：122.12 Kbytes Page：4 Pages	PowerMetalStrip®BatteryShuntResistorW/MoldedEnclosureVeryLowValue(100μOhm)	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MAX8518EUB-T
功能描述：
低压差稳压器 - LDO
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
最大输入电压：
36 V
输出电压：
1.4 V to 20.5 V
回动电压（最大值）：
307 mV
输出电流：
1 A
负载调节：
0.3 %
输出类型：
Fixed
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
VQFN-20

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