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MBR850	文件：174.08 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●ClassificationRating94V-O ●PlasticCaseMaterialhasULFlammability ●GuardRingDieConstruction ●ForUseinLowVoltageApplication ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●SchottkyBarrierChip	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR850	文件：789.57 Kbytes Page：2 Pages	GuardRingDieConstructionforTransientProtection Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR850	文件：428.68 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR850	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR850	文件：585.95 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦High	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR850	文件：141.68 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR850	文件：90.38 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR850	文件：487.18 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR850	文件：443.78 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRecitifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR850	文件：1.11675 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG

详细参数

型号：
MAX850ESA-T
功能描述：
电荷泵 Regulated Negative Charge Pump
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
功能：
Inverting, Step Up
输出电压：
- 1.5 V to - 5.5 V, 3 V to 11 V
输出电流：
100 mA
电源电流：
1 mA
最大工作温度：
+ 70 C
封装/箱体：
SOIC-8 Narrow
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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