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MAX850ESA	文件：118.93 Kbytes Page：8 Pages	Low-Noise,Regulated,NegativeCharge-PumpPowerSuppliesforGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX850–MAX853low-noise,inverting,chargepumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers. TheMAX850–MAX852offerbothpreset(-4.1V)andadjustable(-0.5Vto-9.0V)outputvoltages.TheMAX853usesanexternalpositiveco	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX850ISA	文件：118.93 Kbytes Page：8 Pages	Low-Noise,Regulated,NegativeCharge-PumpPowerSuppliesforGaAsFETBias GeneralDescription TheMAX850–MAX853low-noise,inverting,chargepumppowersuppliesareidealforbiasingGaAsFETsincellulartelephonetransmitteramplifiers. TheMAX850–MAX852offerbothpreset(-4.1V)andadjustable(-0.5Vto-9.0V)outputvoltages.TheMAX853usesanexternalpositiveco	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MBR850	文件：64.33 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MBR850	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MBR850	文件：84.23 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR850	文件：106.87 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconduction ●Guardringfortransientprotection ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highcurrentcapability,lowVF ●Highsurgecapacity ●PlasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfrequenc	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
MBR850	文件：151.45 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifierReverseVoltage40to200VForwardCurrent8.0A ReverseVoltage40to200V ForwardCurrent8.0A Features •LowPowerLoss，HighEfficiency •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •LeadandbodyaccordingwithRoHSstandard	DACHANGRugao Dachang Electronics Co., Ltd 大昌电子如皋市大昌电子有限公司	DACHANG
MBR850	文件：84.22 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS VOLTAGE40to200VoltsCURRENT8Amperes FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvol	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR850	文件：428.73 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR850	文件：428.69 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionfor TransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForward VoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequency Inverters,FreeWheeling,andPolarity	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
MAX850CSA-T
功能描述：
电荷泵
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
功能：
Inverting, Step Up
输出电压：
- 1.5 V to - 5.5 V, 3 V to 11 V
输出电流：
100 mA
电源电流：
1 mA
最大工作温度：
+ 70 C
封装/箱体：
SOIC-8 Narrow
封装：
Tube

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