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MC846	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MRF846	文件：14.78 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheMRF846isDesignedforUFHLarge-Signal,CommonBaseAmplifierApplicatonsUpto960MHz. FEATURESINCLUDE: •InputMatchingNetwork •MinGain4.3dB •GoldMetalization	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF846	文件：50.29 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MUR846	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR846	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MZ846	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NST846MTWFT	文件：261.98 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPN,65V,100mA TheNST846MTWFTisdesignedforgeneralpurposeamplifier applications.Itishousedinanultra−compactDFN1010−3with wettableflanks,recommendedfortheautomotiveindustry’soptical inspectionmethods.Thetransistorisidealforlow−powersurface mountapplicationswhereboardspaceand	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NST846MTWFTBG	文件：261.98 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPN,65V,100mA TheNST846MTWFTisdesignedforgeneralpurposeamplifier applications.Itishousedinanultra−compactDFN1010−3with wettableflanks,recommendedfortheautomotiveindustry’soptical inspectionmethods.Thetransistorisidealforlow−powersurface mountapplicationswhereboardspaceand	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NSVT846MTWFTBG	文件：261.98 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPN,65V,100mA TheNST846MTWFTisdesignedforgeneralpurposeamplifier applications.Itishousedinanultra−compactDFN1010−3with wettableflanks,recommendedfortheautomotiveindustry’soptical inspectionmethods.Thetransistorisidealforlow−powersurface mountapplicationswhereboardspaceand	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE846	文件：22.59 Kbytes Page：3 Pages	IntegratedCircuitTVVideoModulator Description: TheNTE846isdesignedtointerfacecolordifference,audio,andluminancesignalstotheantennaterminalsofaTVreceiver.Itconsistsofasoundsubcarrieroscillator,chromasubcarrieroscillator,quatraturechromamodulators,andRFoscillatorsandmodulatorsfortwolow–VHFch	NTE NTE Electronics	NTE

详细参数

型号：
MAX846AEEE-T
功能描述：
电池管理 Multichemistry Bat Charger System
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
电池类型：
Li-Ion
输出电压：
5 V
输出电流：
4.5 A
工作电源电压：
3.9 V to 17 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
VQFN-24
封装：
Reel

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