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UPA831	文件：79.45 Kbytes Page：16 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA831TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.2dBTYP.,Q2:NF=1.4dBTYP. @f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q1:\|S21e\|2=9.0dBTYP.,Q2:\|S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA831TC	文件：79.45 Kbytes Page：16 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITH2DIFFERENTELEMENTSINAFLAT-LEAD6-PINTHIN-TYPEULTRASUPERMINIMOLDPACKAGE DESCRIPTION TheµPA831TChasbuilt-intwodifferenttransistors(Q1andQ2)forlownoiseamplificationintheVHFbandtoUHFband. FEATURES •Lownoise Q1:NF=1.2dBTYP.,Q2:NF=1.4dBTYP. @f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain Q1:\|S21e\|2=9.0dBTYP.,Q2:\|S	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA831TC	文件：16.45 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA831TD	文件：273.18 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5006,2SC5007) •Lownoise Q1:NF=1.2dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz Q2:NF=1.4dBTYP.@VCE=3V,IC=7mA,f=1GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA831TF	文件：57.08 Kbytes Page：9 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTWINTRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA831TFhastwodifferentbuilt-intransistorsforlowcostamplifierandoscillatorapplicationsintheVHF/UHFband.Lownoisefigures,highgain,highcurrentcapability,andmediumoutputgivethisdevicehighdynamicrangewithexcellentlinearityfortwo-stageamplifiers.T	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA831TF	文件：212.22 Kbytes Page：14 Pages	SiliconTransistor NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINTHIN-TYPESMALLMINIMOLDPACKAGE	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
WM831	文件：195.36 Kbytes Page：3 Pages	MINIATUREHIGHPOWERLATCHINGRELAY	EVER-WAY EVER-WAY INDUSTRY COMPANY LIMITED	EVER-WAY
ZC831	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC831A	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCEDIODES SOT23SILICONVARIABLECAPACITANCE FEATURES CloseToleranceC-VCharacteristics HighTuningRatio *LowIREnablingExcellentPhaseNoisePerformance(IRTypically	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZC831ATA	文件：93.03 Kbytes Page：6 Pages	SILICON25VHYPERABRUPTVARACTORDIODES Description Arangeofsiliconvaractordiodesforuseinfrequencycontrolandfiltering.Featuring closelycontrolledCVcharacteristicsandhighQ.Lowreversecurrentensuresverylowphase noiseperformance.Availableinsingleordualcommoncathodeformatinawiderageof miniaturesur	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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产品属性

产品编号：
MAX831EVKIT-SO
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
开发板，套件，编程器 > 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
主要用途：
DC/DC，步降
输出和类型：
1，非隔离
电压 - 输出：
5V
电流 - 输出：
1A
电压 - 输入：
8V ~ 30V
稳压器拓扑：
降压
频率 - 开关：
100kHz
板类型：
完全填充
所含物品：
板
使用的 IC/零件：
MAX831
描述：
EVAL KIT FOR MAX831

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	MAX831EVKIT-SO	MAXIM	23+	提供BOM配单服务	35500	原装正品现货库存QQ:2987726803	询价
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