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RBV808D	文件：50.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV808D	文件：158.54 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts lo:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RBV808D	文件：98.62 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RC808	文件：40.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
RK808	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RK808-B	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RK808-C	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RKBPC808	文件：893.04 Kbytes Page：1 Pages	8AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER FEATURES •Ratingto1000VPRV •Highefficiency •Idealforprintedcircuitboard •Surgeoverloadratingto125Amperespeak •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininsexpensiveproduct •ULrecognized:File#E106441 •ULrecognized94V-0plasticma	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
RLTMDL-808	文件：205.17 Kbytes Page：5 Pages	InfraredLaserDiodeModul	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
RLTMFC-808	文件：110.62 Kbytes Page：3 Pages	HighPowerFiberCoupledDiodeLaserSystem	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER

详细参数

型号：
MAX808NCSA-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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