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RBV808	文件：99.82 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
RBV808D	文件：158.54 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts lo:8.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RBV808D	文件：98.62 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
RBV808D	文件：50.74 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
RBV808D	文件：19.6 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC	EIC
RC808	文件：40.24 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
RK808	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微电子瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RK808-B	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微电子瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RK808-C	文件：2.34114 Mbytes Page：75 Pages	PowerManagementSystemTechnicalSpecifications	ROCKCHIPRockchip Electronics Co., Ltd 瑞芯微电子瑞芯微电子有限公司	ROCKCHIP
RKBPC808	文件：893.04 Kbytes Page：1 Pages	8AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER FEATURES •Ratingto1000VPRV •Highefficiency •Idealforprintedcircuitboard •Surgeoverloadratingto125Amperespeak •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininsexpensiveproduct •ULrecognized:File#E106441 •ULrecognized94V-0plasticma	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
RLTMDL-808	文件：205.17 Kbytes Page：5 Pages	InfraredLaserDiodeModul	ROITHNER Robyner Lasertechnik GmbH	ROITHNER
RLTMFC-808	文件：110.62 Kbytes Page：3 Pages	HighPowerFiberCoupledDiodeLaserSystem	ROITHNER Robyner Lasertechnik GmbH	ROITHNER
RS808	文件：127.07 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
RS808M	文件：127.32 Kbytes Page：2 Pages	8.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
S-808	文件：1.21586 Mbytes Page：20 Pages	LOW-VOLTAGEHIGH-PRECISIONVOLTAGEDETECTOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-808XXC	文件：702.86 Kbytes Page：58 Pages	SUPER-SMALLPACKAGEHIGH-PRECISIONVOLTAGEDETECTOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-808XXC	文件：672.25 Kbytes Page：54 Pages	ULTRA-SMALLPACKAGEHIGH-PRECISIONVOLTAGEDETECTOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-808XXC	文件：676.67 Kbytes Page：56 Pages	SUPER-SMALLPACKAGEHIGH-PRECISIONVOLTAGEDETECTOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SBE808	文件：40.13 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode15V,1ARectifier 15V,1ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetoplanarstructure. •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE808	文件：743.42 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Smallswitchingnoise •Halogenfreecompliance •Lowleakagecurrentandhighreliabilityduetoplanarstructure •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX808LCPA
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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详细参数

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