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MAX803ZEXR-T	文件：136.65 Kbytes Page：8 Pages	3-PinMicroprocessorResetCircuits GeneralDescription TheMAX803/MAX809/MAX810aremicroprocessor(µP)supervisorycircuitsusedtomonitorthepowersuppliesinµPanddigitalsystems.Theyprovideexcellentcircuitreliabilityandlowcostbyeliminatingexternalcomponentsandadjustmentswhenusedwith+5V,+3.3V,+3.0V,or+	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MGS803	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAsSchottkyDiodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MHW803	文件：79.67 Kbytes Page：5 Pages	2W,806to905MHzUHFPOWERAMPLIFIERS TheRFLine UHFPowerAmplifiers Capableofwidepowerrangecontrolasencounteredinportablecellularradioapplications(30dBtypical). •MHW803–2806–870MHz •Specified7.5VoltCharacteristics RFInputPower=1mW(0dBm) RFOutputPower=2Watts MinimumGain(VControl	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MIC803	文件：258.25 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorSupervisorCircuitwithOpen-DrainResetOutput GeneralDescription TheMIC803isasingle-voltagesupervisorwithopen-drainresetoutputthatprovidesaccuratepowersupplymonitoringandresetgenerationinmicroprocessor-basedsystems.Thefunctionofthedeviceistoassertaresetsignalifthepowersupplyvoltagedropsbelowthereset	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIC803	文件：612.29 Kbytes Page：12 Pages	3-PinMicroprocessorSupervisorCircuitwithOpen-DrainResetOutput	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
MIP803	文件：34.21 Kbytes Page：2 Pages	SiliconMOSIC ■Features ●Allowingdownsizingofthesetsthroughthereductionofapartscountresultingfromthevoltagestep-uputilizingacoilinsteadofatransformerandemployingthethinsurfacemountingpackage. ●Allowinglowvoltagedrive(adaptabletoasmallandlow-voltagebattery),orVC	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MJE803	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE803	文件：64.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE802andMJE803aresiliconepitaxial-baseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecSOT-32plasticpackage.Theyareintendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE803	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE803	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX803MEXR-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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