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MAX802TMJA	文件：100.16 Kbytes Page：12 Pages	3.0V/3.3VMicroprocessorSupervisoryCircuits GeneralDescription Thesemicroprocessor(µP)supervisorycircuitsreducethecomplexityandnumberofcomponentsrequiredforpower-supplymonitoringandbattery-controlfunctionsinµPsystems.TheysignificantlyimprovesystemreliabilityandaccuracycomparedtoseparateICsordiscretecompo	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MER802FT	文件：375.26 Kbytes Page：5 Pages	nullSuperFastRecoveryRectifier Features Superfastrecoverytimes-epitaxialconstruction Lowforwardvoltage,highcurrentcapability Lowleakage PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standar	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MER802T	文件：289.3 Kbytes Page：5 Pages	SuperFastRecoveryRectifier Features Superfastrecoverytimes-epitaxialconstruction Lowforwardvoltage,highcurrentcapability Lowleakage PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249standar	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MGS802	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAsSchottkyDiodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MGS802A	文件：710.81 Kbytes Page：4 Pages	GaAsSchottkyDiodes	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MJ802	文件：277.89 Kbytes Page：5 Pages	COMPLEMENTARYHIGHPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJ802(NPN)andMJ4502(PNP)aresiliconepitaxial-basecomplementarypowertransistorsinJedecTO-3metalcase,intendedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJ802	文件：111.05 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(30A,100V,200W) 30AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100VOLTS200WATTS	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	30AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100VOLTS200WATTS High−PowerNPNSiliconTransistor •••foruseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100−Wattsmusicpowerperchannel. Features •HighDCCurrentGain−hFE=25−100@IC=7.5A •ExcellentSafeOperatingArea •ComplementtothePNPMJ4502	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ802	文件：136.79 Kbytes Page：4 Pages	High-PowerNPNSiliconTransistor High−PowerNPNSiliconTransistor Thistransistorisforuseasanoutputdeviceincomplementaryaudioamplifiersto100−Wattsmusicpowerperchannel. Features •HighDCCurrentGain−hFE=25−100@IC=7.5A •ExcellentSafeOperatingArea •ComplementtothePNPMJ4502 •Pb−FreePackag	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ802	文件：55.77 Kbytes Page：1 Pages	NPNPLANARSILICONTRANSISTOR(AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER) AUDIOPOWERAMPLIFIERDCTODCCONVERTER •HighCurrentCapability •HighPowerDissipation •ComplementarytoMJ4502	WINGSWing Shing Computer Components 永盛电子永盛电子(香港)有限公司	WINGS

详细参数

型号：
MAX802TESA-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	MAX802TESE+T	MAXIM/美信	23+	SOP16	9173	一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、	询价
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