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MJ802G	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=90V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.8V(Max)@IC=7.5A APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE802	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE802	文件：64.48 Kbytes Page：4 Pages	SILICONNPNPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION TheMJE802andMJE803aresiliconepitaxial-baseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecSOT-32plasticpackage.Theyareintendedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPES	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE802	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MAX802LESA
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
备用电池电路
电压 - 阈值：
4.65V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SO

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