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MJ802G	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=90V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.8V(Max)@IC=7.5A APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE802	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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MJ802G

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SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=90V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):0.8V(Max)@IC=7.5A APPLICATIONS ·Designedforuseasanoutputdeviceincomplementary audioamplifiersto100-Wattsmusicpowerperchannel.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors

MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

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产品属性

产品编号：
MAX802LCSA+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
备用电池电路
电压 - 阈值：
4.65V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

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