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MJE800	文件：51.86 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBaseEmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=1.5and2.0ADC •ComplementtoMJE700/701/702/703	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE800	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE800	文件：84.77 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE800	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE800	文件：103.05 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE800	文件：130.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeMJE700/701/702/703 •HighDCcurrentgain •DARLINGTON APPLICATIONS •Designedforgeneral–purposeamplifier andlow–speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE800	文件：104.62 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
MJE800	文件：81.9 Kbytes Page：2 Pages	PlasticDarlingtonComplementarySiliconPowerTransistors ...designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE800	文件：346.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYPOWERDARLINGTONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMJE700,MJE800seriesdevicesaremediumpowercomplementarysiliconDarlingtontransistorsdesignedforaudioamplifierapplicationsascomplementaryoutputdevices.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MJE800G	文件：84.77 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
MAX800MCSE+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
备用电池电路
电压 - 阈值：
4.4V
输出：
开漏极，推挽式
复位：
高有效/低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 16SOIC

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