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MMBD770WS	文件：174.87 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES VOLTAGE70Volts200mA FEATURES •Extremelylowminoritycarrierlifetime •Lowcapacitance(0.4pF@20Vtypical) •Lowreverseleakage(30nA@35Vtypical) .IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives •Surfacemountpackageideallysuitedforautomaticinsertion	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMDL770	文件：241 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierDiode	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMDL770	文件：207.8 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：220.34 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode FEATURES ●Lowreverseleakage—IR=200nA(Max.). ●VeryLowCapacitance—1.0pF@20V. ●ExtremelyLowminoritycarrierlifetime. ●Highreverseleakage—70V(min.) APPLICATIONS ●Forhigh-efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MMDL770	文件：228.52 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiodes	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMDL770	文件：106.58 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Schottkybarrierdiodesaredesignedprimarilyforhigh–efficiencyUHFandVHFdetectorapplications.ReadilyavailabletomanyotherfastswitchingRFanddigitalapplications. •ExtremelyLowMinorityCarrierLifetime •VeryLowCapacitance—1.0pF@20V •LowReverseLeakage—200nA(max)	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
MMDL770	文件：51.62 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE VeryLowCapacitance LowReverseLeakage PNJunctionGuardRingforTransientand ESDProtection ForGeneralPurposeSwitchingApplications PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
MZ770	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NIVXIPC-770	文件：615.16 Kbytes Page：5 Pages	Intel815Echipset/High-performancePCI-basedperipherals	NI National Instruments Inc.	NI
NTM-770	文件：61.76 Kbytes Page：1 Pages	MOLDED,SELF-RETAININGLEDMOUNT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
MAX770ESA-T
功能描述：
DC/DC 开关控制器 5/12/15/AdjV Step Up DC/DC Controller
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输入电压：
6 V to 100 V
输出电压：
1.215 V to 80 V
输出电流：
3.5 A
输出端数量：
1
最大工作温度：
+ 125 C
封装/箱体：
CPAK

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