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NCV7705	文件：351.32 Kbytes Page：38 Pages	Mirror-ModuleDriver-IC TheNCV7705/NCV7706isapowerfulDriver−ICforautomotive bodycontrolsystems.TheICisdesignedtocontrolseveralloadsin thefrontdoorofavehicle.ThemonolithicICisabletocontrolmirror functionslikemirrorpositioning,heatingandfolding.Inaddition, NCV7706includestheele	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NCV7705A	文件：351.32 Kbytes Page：38 Pages	Mirror-ModuleDriver-IC TheNCV7705/NCV7706isapowerfulDriver−ICforautomotive bodycontrolsystems.TheICisdesignedtocontrolseveralloadsin thefrontdoorofavehicle.ThemonolithicICisabletocontrolmirror functionslikemirrorpositioning,heatingandfolding.Inaddition, NCV7706includestheele	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NDL7705P	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPSTRAINEDMQWDFBDC-PBHLASERDIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：67.81 Kbytes Page：8 Pages	1550nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSEAMODULATORINTEGRATEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFOR2.5Gb/sULTRALONG-REACHAPPLICATIONS DESCRIPTION TheNDL7910PisanEAmodulatorintegrated1550nmDFB-LDfor2.5Gb/s.ThenewlydevelopedbandgapenergycontrolledSelectiveMOVPEtechnologyisutilizedasfabricationmethod.Itisdesignedfor2.5Gb/sultralongreachapplications. FEATURES •Integratedelectroabsorptionmodu	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：66.93 Kbytes Page：8 Pages	1550nmCWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULE DESCRIPTION TheNX8562LBisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealfortransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES •OutputpowerPf=20mWMIN. •WavelengthselectableforITU-Tstandards	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：74.73 Kbytes Page：8 Pages	1310nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE DESCRIPTION TheNDL7603PSeriesisa1310nmphase-shiftedDFB(distributedfeedback)laserdiodemodulewithsinglemodefiber.TheMultipleQuantumWell(st-MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverawidetemperaturerangeof-40to+85°C.It	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：82.5 Kbytes Page：8 Pages	1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE DESCRIPTION TheNDL7705PSeriesisa1550nmphase-shiftedDFB(DistributedFeed-Back)laserdiodemodulewithopticalisolator.MultipleQuantumWell(MQW)structureisadoptedtoachievestabledynamicsinglelongitudinalmodeoperationoverwidetemperaturerangeof40to+85C. Itisdesig	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：71.13 Kbytes Page：8 Pages	CWLIGHTSOURCEInGaAsPSTRAINEDMQW-DFBLASERDIODEMODULEFORD-WDMAPPLICATIONS DESCRIPTION TheNX8563LBSeriesisa1550nmlaserdiodewithPolarizationMaintainFiber(PMF). ThisdeviceisdesignedasCWlightsourceandidealforD-WDMtransmissionsystemsinwhichexternalmodulatorsareused. FEATURES •OutputpowerPf=10mWMIN. •Wavelengthavailabilityλp=1	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：48.35 Kbytes Page：4 Pages	1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONSInGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL7705P	文件：214.65 Kbytes Page：10 Pages	LASERDIODE 1500nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS InGaAsPMQW-DFBLASERDIODECOAXIALMODULE FEATURES •Peakemissionwavelengthp=1550nm •OpticaloutputpowerPf=2.0mW •WideoperatingtemperaturerangeTC=40to+85C •/4-phase-shiftedDFB •InGaAsmonitorPIN-PD •Internalopticaliso	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
MAX7705CSA+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
卷带（TR）
类型：
简单复位/加电复位
电压 - 阈值：
4.65V
输出：
推挽式/图腾柱
复位：
低有效
复位超时：
最小为 140ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC

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