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MBR745	文件：203.23 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER7.5Amp Description/Features TheMBRB7..Schottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,free-wheeling	IRF International Rectifier	IRF
MBR745	文件：42.56 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES PRV:35~60Volts Io:7.5Amperes FEATURES: PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Guardringforovervoltageprotection *Foruseinlowvoltage,highfr	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
MBR745	文件：72.5 Kbytes Page：2 Pages	7.5Ampschottkybarrierrectifier20to60volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MBR745	文件：121.37 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifiers FeaturesandBenefits •LowForwardVoltage •LowPowerLoss/HighEfficiency •HighSurgeCapacity •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable* Applications •PowerSupply−OutputRectification •PowerManagement •Instrumentation	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR745	文件：248.51 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR745	文件：656.26 Kbytes Page：2 Pages	7.5AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR745	文件：75.86 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER ReverseVoltage-35to60VoltsForwardCurrent-7.5Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassifications94V-0 ♦Metaltosiliconrectifier, majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforward	GE GE Industrial Company	GE
MBR745	文件：103.78 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyRectifier,7.5A FEATURES •Powerpack •Guardringforovervoltageprotection •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR745	文件：113.37 Kbytes Page：3 Pages	7.5AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR745	文件：585.98 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-7.5Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapab	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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产品属性

产品编号：
MAX745EAP+
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电池充电器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
电池化学成份：
锂离子
电池数：
1 ~ 4
电流 - 充电：
恒流 - 可编程
充电电流 - 最大值：
4A
电池组电压：
18V（最大）
电压 - 供电（最高）：
24V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：
20-SSOP
描述：
IC BATT CHG LI-ION 1-4CEL 20SSOP

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