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MCR703A	文件：476.02 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONCONTROLLEDRECTIFIER4AMP,100THRU600VOLTS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMCR703A,MCR704A,MCR706A,andMCR708AareepoxymoldedSCRsdesignedforsensingcircuitandcontrolsystemapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MCR703A	文件：440.94 Kbytes Page：7 Pages	SiliconControlledRectifiers	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MCR703A	文件：496.94 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONCONTROLLEDRECTIFIERS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MCR703A	文件：174.75 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifiers SiliconControlledRectifiersReverseBlockingTriodeThyristors ...PNPNdevicesdesignedforhighvolume,lowcostconsumerapplicationssuchastemperature,lightandspeedcontrol;processandremotecontrol;andwarningsystemswherereliabilityofoperationiscritical. •SmallSize •P	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MCR703A	文件：550.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarPNPNThyristor(4ASCR) DESCRIPTION ThyristorinaTO-252Package. FEATURES Theconsumptionlevelprovidereliableapplications, suchastemperature,lighting,speed,etc. APPLICATIONS AppliedtohighVoltagecontrolcircuit.	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MJE703	文件：51.67 Kbytes Page：4 Pages	MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors MonolithicConstructionWithBuilt-inBase-EmitterResistors •HighDCCurrentGain:hFE=750(Min.)@IC=-1.5and-2.0ADC •ComplementtoMJE800/801/802/803	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MJE703	文件：252.89 Kbytes Page：6 Pages	NPN(HIGHDCCURRENTGAIN)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MJE703	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	4.0AMPEREDARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON40WATT50WATT ...designedforgeneral–purposeamplifierandlow–speedswitchingapplications. •HighDCCurrentGain— hFE=2000(Typ)@IC=2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt–inBase–EmitterResistorstoLimitLeakage Multiplication •ChoiceofPackages— MJE700andMJE800series	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE703	文件：100.42 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector–EmitterSustainingVoltage—:VCEO(SUS)=-80V •DCCurrentGain—:hFE=750(Min)@IC=-2A =100(Min)@IC=-4A •ComplementtoTypeMJE803 APPLICATIONS •Designedforgeneral-purposeamplifierandlow-speedswitchingap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE703	文件：256.45 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTONPOWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARY Thesedevicesaredesignedforgeneral−purposeamplifierandlow−speedswitchingapplications. Features •HighDCCurrentGain−hFE =2000(Typ)@IC =2.0Adc •MonolithicConstructionwithBuilt−inBase−EmitterResistorsto LimitLeakage−Multiplication •ChoiceofPackages−M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
MAX703C/D
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

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