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MAX6676AUT+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：SOT-23-6 类别：传感器，变送器温度传感器 - 模拟和数字输出描述：SENSOR DIGITAL -40C-125C SOT23-6	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6676	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6676	文件：2.23305 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6676BCBZRL	文件：2.23305 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6676BCBZRL	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD6676EBZ	文件：1.9312 Mbytes Page：90 Pages	WidebandIFReceiverSubsystem	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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CD6676	文件：76.46 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDIOXIDEPASSIVATED •IN6677AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERCHIPS •SILICONDIOXIDEPASSIVATED •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTACHTECHNIQUES,WITHTHEEXCEPTIONOFSOLDERREFLOW	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL6676	文件：69.7 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated	CDI-DIODE
CDLL6676	文件：51.88 Kbytes Page：2 Pages	0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •1N6677UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/610 •0.2&0.5AMPSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS •HERMETICALLYSEALED •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •METALLURGICALLYBONDED •DOUBLEPLUGCONSTRUCTION	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDB6676	文件：82.16 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedfor“lowside”synchronousrectifieroperation,providinganextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB6676S	文件：116.99 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET? GeneralDescription ThisMOSFETisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandparallelSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDP/B6676SincludesanintegratedSchottky	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676	文件：85.88 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed.extremelylowRDS(ON	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676	文件：331.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=78A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6676A	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676AS	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676AS_NL	文件：120.31 Kbytes Page：8 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchSyncFET GeneralDescription TheFDD6676ASisdesignedtoreplaceasingleMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676ASincludesapatentedcombinationofaMOS	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676S	文件：121.33 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheFDS6676SisdesignedtoreplaceaDPAKMOSFETandSchottkydiodeinsynchronousDC:DCpowersupplies.This30VMOSFETisdesignedtomaximizepowerconversionefficiency,providingalowRDS(ON)andlowgatecharge.TheFDD6676SincludesanintegratedSchottkydiodeusing	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6676S	文件：331.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=78A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDMA6676PZ	文件：398.03 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Single,P-Channel,POWERTRENCH	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MAX6676AUT+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 模拟和数字输出
包装：
散装
传感器类型：
数字，本地
感应温度 - 本地：
-40°C ~ 125°C
输出类型：
PWM
电压 - 供电：
3.6V ~ 5.5V
特性：
关断模式
精度 - 最高（最低）：
±1.5°C（±5.5°C）
测试条件：
25°C（-40°C ~ 125°C）
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-6
描述：
SENSOR DIGITAL -40C-125C SOT23-6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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