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MAX6626RMTT+T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘类别：传感器，变送器温度传感器 - 模拟和数字输出描述：SENSOR DIGITAL -55C-125C 6TDFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ATA6626C-PGQW	文件：2.54343 Mbytes Page：29 Pages	LINBusTransceiverwith3.3V(5V)RegulatorandWatchdog Description TheATA6622isafullyintegratedLINtransceiver,whichcomplieswiththeLIN2.0,2.1andSAEJ2602-2specifications.Ithasalow-dropvoltageregulatorfor3.3V/50mAoutputandawindowwatchdog.TheATA6624hasthesamefunctionalityastheATA6622;however,itusesa5V/50mAre	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATA6626-PGQW	文件：494.47 Kbytes Page：29 Pages	LINBusTransceiverwith3.3V(5V)RegulatorandWatchdog Description TheATA6622isafullyintegratedLINtransceiver,whichcomplieswiththeLIN2.0,2.1andSAEJ2602-2specifications.Ithasalow-dropvoltageregulatorfor3.3V/50mAoutputandawindowwatchdog.TheATA6624hasthesamefunctionalityastheATA6622;however,itusesa5V/50mAre	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
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BH6626FS	文件：265.88 Kbytes Page：13 Pages	Read/WriteamplifierforFDD TheBH6626FSisaread/writeICdesignedforfloppydiskdrivesandhasaninternalactivefilterformemorysystemsinwhichsaddlemarginsareimportant.Anyofmultiplewritecurrentsettingscanbeselected,andbothdensityswitchingandinnertrack/outertrackswitchingaredoneinternal	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EM6626	文件：1.36398 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPowerMicrocontrollerwith4x32LCDDriver	EMMICRO EM Microelectronic - MARIN SA	EMMICRO
IRF6626	文件：632.98 Kbytes Page：9 Pages	DirectFETTMPowerMOSFET Description TheIRF6626combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6626	文件：641.93 Kbytes Page：10 Pages	RoHScompliantcontainingnoleadorbromide Description TheIRF6626combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6626PBF	文件：289.61 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6626PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LMH6626	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6626	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMH6626MA	文件：1.34779 Mbytes Page：19 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMH6626MA/NOPB	文件：1.89424 Mbytes Page：38 Pages	LMH6624andLMH6626Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LMH6626MAX	文件：985.74 Kbytes Page：20 Pages	Single/DualUltraLowNoiseWidebandOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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产品属性

产品编号：
MAX6626RMTT+T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 模拟和数字输出
包装：
管件
传感器类型：
数字，本地
感应温度 - 本地：
-55°C ~ 125°C
输出类型：
I²C
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
分辨率：
12 b
特性：
输出开关，可编程极限，关断模式
精度 - 最高（最低）：
±1°C（±2°C）
测试条件：
25°C（0°C ~ 70°C）
工作温度：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
6-TDFN（3x3）
描述：
SENSOR DIGITAL -55C-125C 6TDFN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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