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MBRD660CTG	文件：112.1 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD660CTG	文件：207.24 Kbytes Page：7 Pages	Switch-modePowerRectifiersDPAK-3SurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitching powersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •NRVBDandSBRVPrefixesforAutomotiveandOtherApplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD660CTG	文件：187.53 Kbytes Page：7 Pages	Switch-modePowerRectifiersDPAK−3SurfaceMountPackage Thesestate−of−the−artdevicesaredesignedforuseinswitching powersupplies,invertersandasfreewheelingdiodes. Features •ExtremelyFastSwitching •ExtremelyLowForwardDrop •PlatinumBarrierwithAvalancheGuardrings •NRVBDandSBRVPrefixesforAutomotiveandOtherApplication	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD660CTL	文件：140.73 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD660CTL	文件：885.83 Kbytes Page：4 Pages	MBRD660CTLSCHOTTKYRECTIFIER Features 125℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD660CT-LFR	文件：124.4 Kbytes Page：2 Pages	6ADUALSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●EXTREMELYLOWVF ●LOWSTOREDCHARGE,MAJORITYCARRIERCONDUCTION ●LOWPOWERLOSS/HIGHEFFICIENCY ●UL94V0FLAMERETARDANTEPOXYMOLDINGCOMPOUND ●ROHS MECHANICALDATA ●CASE:TRANSFERMOLDED,DPAK ●LEADS:SOLDERABLEPERMIL-STD-202,METHOD208 ●POLARITY:ASMARKED ●WE	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
MBRD660CTPBF	文件：184.24 Kbytes Page：7 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER6Amp Description/Features TheMBRD650CTPbF,MBRD660CTPbFsurfacemount,centertap,SchottkyrectifierserieshasbeendesignedforapplicationsrequiringlowforwarddropandsmallfootprintsonPCboard.Typicalapplicationsareindiskdrives,switchingpowersupplies,converters,free-wheelingd	IRF International Rectifier	IRF
MBRD660CTPBF	文件：139.5 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyRectifier,2x3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRD660CTPBF	文件：139.5 Kbytes Page：7 Pages	SchottkyRectifier,2x3A	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBRD660CTRLG	文件：73.01 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX660C/D+
功能描述：
电荷泵
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
功能：
Inverting, Step Up
输出电压：
- 1.5 V to - 5.5 V, 3 V to 11 V
输出电流：
100 mA
电源电流：
1 mA
最大工作温度：
+ 70 C
封装/箱体：
SOIC-8 Narrow
封装：
Tube

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