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6355	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
6355-BK	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
6355-C	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
6355-M	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
6355-V	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
C6355A	文件：73.61 Kbytes Page：1 Pages	5C207/28TCPVPVCCOMMUNICATIONCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CED6355	文件：288.06 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-26A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU6355	文件：288.06 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-26A,RDS(ON)=42mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CPH6355	文件：407.25 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •ON-resistanceRDS(on)1=130mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6355	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •ON-resistanceRDS(on)1=130mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6355-TL-H	文件：534.04 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6355-TL-H	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •ON-resistanceRDS(on)1=130mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6355-TL-W	文件：403.53 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •ON-resistanceRDS(on)1=130mΩ(typ.) •4Vdrive •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EPE6355G	文件：25.52 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilterforCableModemApplications	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
GM6355	文件：170.72 Kbytes Page：6 Pages	300mALOWNOISECMOSLDOWITHENABLEFUNCTION Description TheGM6355seriesisalow-dropoutlinearregulator.Itisdesignedspecificallyforbatteryoperatedsystemswiththegroundcurrentaslowas50μAtypical.Thisfeaturesignificantlyextendsthebatterylife.LowpowerconsumptionandhighaccuracyisachievedthroughCMOSandprogra	GAMMA GAMMA electronics	GAMMA
HL6355MG	文件：94.51 Kbytes Page：4 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode	OPNEXTOpnext. Inc. Opnext. Inc.	OPNEXT
LSH6355P	文件：219.16 Kbytes Page：4 Pages	5AMPDCTODCMICROCONVERTER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LSH6355PH	文件：219.16 Kbytes Page：4 Pages	5AMPDCTODCMICROCONVERTER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
LSH6355PV	文件：219.16 Kbytes Page：4 Pages	5AMPDCTODCMICROCONVERTER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MAX6355	文件：327.33 Kbytes Page：11 Pages	Dual/Triple-Voltage關PSupervisoryCircuits	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
MAX6355RVUT-T
功能描述：
监控电路
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Active Low, Open Drain
人工复位：
Resettable
监视器：
No Watchdog
电池备用开关：
No Backup
上电复位延迟（典型值）：
10 s
电源电压-最大：
5.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UDFN-6
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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