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MAX6331SUR-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）电压基准描述：IC VREF SHUNT 1.3% SOT23-3	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MAX6331-T	文件：179.16 Kbytes Page：14 Pages	5-PinuPSupervisoryCircuitswithWatchdogandManualReset	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH6331	文件：60.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •4Vdrive •Halogenfreecompliance	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6331	文件：1.05713 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MCH6331	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6331	文件：491.72 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6331-TL-H	文件：496.47 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •4Vdriv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MG6331	文件：588.77 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
MG6331-R	文件：588.77 Kbytes Page：5 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

产品属性

产品编号：
MAX6331SUR-T
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）
参考类型：
分流器
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
3V
容差：
±1.3%
温度系数：
标准为 40ppm/°C
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
IC VREF SHUNT 1.3% SOT23-3

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