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MAX620EWN+

Package:18-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18SOIC

AD

亚德诺

MAX620EWN+T

Package:18-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18SOIC

AD

亚德诺

MB620XXX

UHB SERIES 1.5U CMOS GATE ARRAYS

文件:1.92492 Mbytes 页数:30 Pages

FUJITSU

富士通

MBR620

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94

文件:1.4235 Mbytes 页数:2 Pages

SAMYANG

三阳电子

MBR620

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94

文件:1.45043 Mbytes 页数:2 Pages

SAMYANG

三阳电子

产品属性

  • 产品编号:

    MAX620EWN+

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    高端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 16.5V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.4V

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    1.7µs,2.5µs

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    18-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 18SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Maxim Integrated
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SOIC-16
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2022+原装正品
SOIC-18
18000
支持工厂BOM表配单 公司只做原装正品货
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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更多MAX620EWN+供应商 更新时间2026-1-26 10:16:00