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MCH5908	文件：52.95 Kbytes Page：4 Pages	High-FrequencyAmplifier,AMAmplifier,Low-FrequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH5908	文件：296.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH5908G-TL-E	文件：399.6 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyAmplifier,AMAmplifier,Low-FrequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH5908G-TL-E	文件：296.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH5908H-TL-E	文件：296.81 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH5908H-TL-E	文件：399.6 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyAmplifier,AMAmplifier,Low-FrequencyAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTE5908	文件：24.02 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,16Amp DescriptionandFeatures: TheNTE5892throughNTE5911arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ●HighSurgeCurrentCapability ●HighVoltageAvailable ●Designedfora	NTE NTE Electronics	NTE
PWR5908	文件：238.19 Kbytes Page：2 Pages	.5-1.0WATTDUAL-IN-LINEREGULATEDDC/DCCONVERTER DESCRIPTION ThePWR59XXSeriesoffersanextensiveselectionofinputandoutputvoltagecombinationstochoosefrom,includinga9VoutputforCheapernetlocalareanetworking.Bothsingleanddualoutputvoltagesareavailable.Theseminiature,regulatedDC/DCconverterscomeina24-pindual-i	CANDD C&D Technologies	CANDD
SI5908DC	文件：97.59 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI5908DC	文件：198.12 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
MAX5908UEE-T
功能描述：
热插拔功率分布
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
产品：
Controllers & Switches
电源电压-最大：
7 V
电源电压-最小：
- 0.3 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Tube

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