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MJE5852	文件：264.28 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage :VCEO=-400V(Min) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SwitchingRegulators ·Inverters ·Solenoidandrelaydrivers ·Motorcontrol	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJE5852	文件：71.64 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION TheMJE5852ismanufacturedusingHighVoltagePNPMulti-Epitaxialtechnologyforhighswitchingspeedandhighvoltagecapability.Itisintendedforuseinhighfrequencyandefficiencyconverters,switchingregulatorsandmotorcontrol. ■STMicroelectronicsPREFERRED SAL	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE5852	文件：114.2 Kbytes Page：3 Pages	SWITCHMODESeriesPNPSiliconPowerTransistors TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJE5852	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh−voltage,high−speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.TheyareparticularlysuitedforlineoperatedSWITCHMODEapplications. Features •SwitchingRegulators •Inverters •Solenoidan	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852	文件：302.54 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPNPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS TheMJE5850,MJE5851andtheMJE5852transistorsaredesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJE5852	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852	文件：56.88 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGEPNPPOWERTRANSISTOR ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPE ■PNPTRANSISTOR ■HIGHVOLTAGECAPABILITY APPLICATIONS: ■SWITCHINGREGULATORS ■MOTORCONTROL ■INVERTERS DESCRIPTION TheMJE5852ismanufacturedusingHigh VoltagePNPMulti-Epitaxialtechnologyforhigh switchingspeedandhighvoltagec	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MJE5852G	文件：104.82 Kbytes Page：8 Pages	8AMPEREPCPSILICONPOWERTRANSISTORS300-350-400VOLTS80WATTS	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJE5852G	文件：104.24 Kbytes Page：8 Pages	Switch-modeSeriesPNPSiliconPowerTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFD5852NL	文件：129.13 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.9mohm,44A,DualN.ChannelLogicLevel,DualSO.8FL PowerMOSFET 40V,6.9m,44A,DualN−ChannelLogicLevel,DualSO−8FL Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesigns •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFD5852NLWF−WettableFlanksProduct •AEC−Q101QualifiedandPPAPCap	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MAX5852ETL-T
功能描述：
数模转换器- DAC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换器数量：
1 DAC
输出端数量：
1
转换速率：
2 MSPs
分辨率：
16 bit
接口类型：
QSPI, SPI, Serial(3-Wire, Microwire)
稳定时间：
1 us
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-14
封装：
Tube

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