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NVSW519AT	文件：1.85662 Mbytes Page：44 Pages	SPECIFICATIONSFORWHITELED	NICHIANichia Corporation&Subsidiaries 日亚化学工业株式会社	NICHIA
PL519	文件：226.12 Kbytes Page：9 Pages	LINEOUTPUTPENTODE	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PST519A	文件：688.11 Kbytes Page：8 Pages	FORSYSTEMRESETTINGMONOLITHICIC FORSYSTEMRESETTINGMONOLITHICIC	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
QFBR-T519Z	文件：96.69 Kbytes Page：4 Pages	Changetoimprovedmoldcompound	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
SIA519	文件：3.86475 Mbytes Page：12 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETs •NewThermallyEnhancedPowerPAK® SC-70Package -SmallFootprintArea -LowOn-Resistance •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchforPortableDevices	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
SIA519EDJ	文件：320.31 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETs •TypicalESDProtection:N-Channel2000V P-Channel1000V •100RgTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA519EDJ	文件：275.7 Kbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STBS519	文件：54.31 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS519	文件：80.08 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STUS519	文件：33.9 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR 500Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) *TypicalIRlessthen1mAabove10V	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

详细参数

型号：
MAX519BCSE
功能描述：
数模转换器- DAC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
转换器数量：
1 DAC
输出端数量：
1
转换速率：
2 MSPs
分辨率：
16 bit
接口类型：
QSPI, SPI, Serial(3-Wire, Microwire)
稳定时间：
1 us
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-14
封装：
Tube

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