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MMSZ4679	文件：316.46 Kbytes Page：2 Pages	500mWSurfaceMountZenerDiodes Features ●TotalPowerDissipation500mWonFR-4orFR-5Board ●WideZenerReverseVoltageRange1.8Vto43V ●PackageDesignedforOptimalAutomatedBoardAssembly ●SmallPackageSizeforHighDensityApplications	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MMSZ4679	文件：346.04 Kbytes Page：5 Pages	500mWSiliconZenerDiodes Features •ZenerVoltage1.8V-39V •VerySharpReverseCharacteristic •VZ–tolerance±5 •HighReliability •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMSZ4679	文件：757.93 Kbytes Page：7 Pages	ZenerDiodeinaSOD-123PlasticPackage. Descriptions ZenerDiodeinaSOD-123PlasticPackage. Features Designfor500mWSOD-123surfacemount. Applications Widezenerreversevoltagerange1.8V-43V,MaximumPDto500mW.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMSZ4679	文件：462.008 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
MMSZ4679	文件：118.64 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODES ZENERDIODES VZ:1.8to43V PD:500mW FEATURES: TotalPowerDissipation500mWonFR-4orFR-5Board WideZenerReverseVoltageRange1.8Vto43V PackageDesignedforOptimalAutomatedBoardAssembly SmallPackageSizeforHighDensityApplications *Pb/RoHS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
MMSZ4679	文件：306.49 Kbytes Page：5 Pages	500mWSiliconZenerDiodes	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMSZ4679	文件：421.97 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes Features ●Pb−FreePackagesareAvailable ●WideZenerReverseVoltageRange−1.8Vto43V ●SmallPackageSizeforHighDensityApplications ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MMSZ4679	文件：456.89 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MMSZ4679	文件：752.42 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODE ZENERDIODE Features ●Pb−FreePackagesareAvailable ●WideZenerReverseVoltageRange ●SmallPackageSizeforHighDensityApplications ●ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyModel	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
MMSZ4679	文件：309.44 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODE Features ·LowZenerImpedance ·PowerDissipationof500mW ·HighStabilityandHighReliability	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN

详细参数

型号：
MAX4679EUE-T
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MAX4679EUE-T供应商更新时间2025-5-2 9:01:00

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