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MAX436MJD	文件：700.34 Kbytes Page：16 Pages	Wideband Trasconductance Amplifiers	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
436	文件：98.03 Kbytes Page：1 Pages	SMTelecomFuse436Series	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
436	文件：126.66 Kbytes Page：2 Pages	CMOS/TTLOutput	OSCILENT Oscilent Corporation	OSCILENT
436	文件：345.76 Kbytes Page：3 Pages	VibrationDampingTapes	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
ACTR436J	文件：58.87 Kbytes Page：3 Pages	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
ADG436	文件：93.31 Kbytes Page：8 Pages	DualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG436isamonolithicCMOSdevicecomprisingtwoindependentlyselectableSPDTswitches.ItisdesignedonanLC2MOSprocess,whichprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. Theonresistanceprofileisveryflatoverthefulla	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG436BN	文件：93.31 Kbytes Page：8 Pages	DualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG436isamonolithicCMOSdevicecomprisingtwoindependentlyselectableSPDTswitches.ItisdesignedonanLC2MOSprocess,whichprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. Theonresistanceprofileisveryflatoverthefulla	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG436BN	文件：323.6 Kbytes Page：12 Pages	DualSPDTSwitch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG436BR	文件：323.6 Kbytes Page：12 Pages	DualSPDTSwitch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG436BR	文件：93.31 Kbytes Page：8 Pages	DualSPDTSwitch GENERALDESCRIPTION TheADG436isamonolithicCMOSdevicecomprisingtwoindependentlyselectableSPDTswitches.ItisdesignedonanLC2MOSprocess,whichprovideslowpowerdissipationyetgiveshighswitchingspeedandlowonresistance. Theonresistanceprofileisveryflatoverthefulla	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADG436BR-REEL	文件：323.6 Kbytes Page：12 Pages	DualSPDTSwitch	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AL-HW436D	文件：340.38 Kbytes Page：5 Pages	WhiteSMDChipLEDLamps(0.8mmHeight)	A-BRIGHTA-BRIGHT Inc 光旗实业光旗实业股份有限公司	A-BRIGHT
AN436	文件：71.22 Kbytes Page：9 Pages	TRIACCONTROLBYPULSETRANSFORMER	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
AOB436	文件：320.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=55A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB436	文件：132.56 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOB436usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardproductAOB436isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOB4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

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详细参数

型号：
MAX436MJD
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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