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MBRB4030	文件：298.24 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierRectifier DESCRIPTION ·Schottkybarrierchip ·LowPowerLoss,HighEfficiency ·Guardringfortransientprotection ·HighOperatingJunctionTemperature APPLICATIONS ·Foruseinhighfrequencyrectifierofswitchingmode powersupplies,freewheelingdiodes,DC-to-DCconverters orpolarityprotectionap	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBRB4030G	文件：69.32 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •GuardringforStressProtection •MaximumDieSize •175°COperatingJunctionTemperature •ShortHeatSinkTabManufactured−NotSheared •Pb−FreePack	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB4030G	文件：144.34 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF4030CT	文件：91.15 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRF4030CT	文件：1.44219 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBRF4030CT	文件：819.55 Kbytes Page：4 Pages	MBRF4030CTSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MHB4030	文件：368.04 Kbytes Page：3 Pages	LOGICKEINREGROVANEOBVODYCMOS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
MJ4030	文件：125.29 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSISTORS(16A,60-100V,150W) MEDIUM-POWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS ...designedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. FEATURES: HighGainDarlingtonPerformance DCCurrentGainhFE=3500(Typ)@lc=10A *MonolithicConstructionwithBuilt-inBase-EmitterShuntRes	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC
MJ4030	文件：220.75 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS MEDIUMPOWERCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-basePNPpowertransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationandaremountedinJedecTO-3metalcase. Theyareintentedforuseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications. Thecompleme	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
MJ4030	文件：215.16 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPDarlingtionPowerTransistor DESCRIPTION •WithTO-3package •RespectivelycomplementtotypeMJ4035 •DARLINGTON •HighDCcurrentgain APPLICATIONS •Foruseasoutputdevicesincomplementarygeneralpurposeamplifierapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
MAX4030EEUA-T
功能描述：
高速运算放大器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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