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MBR4030PT	文件：1.19038 Mbytes Page：2 Pages	40AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts Features •HighSurgeCapacity •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability •MetalofsiliconRectifier,majorityCarrierConduction •GuardRingForTransientProtection	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR4030PT	文件：136.9 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR4030PT	文件：399.31 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR4030PT	文件：244.38 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers VOLTAGERANGE:30-100V CURRENT:40A Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. Guardringforovervoltageprotection. Highsurgecapacity. Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR4030W	文件：110.87 Kbytes Page：3 Pages	40AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts 40AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •HighSurgeCapacity •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability,LowVF •MetalofsiliconRectifier,majorityCarrierConduction •GuardRingForTransientProtection •PlasticPackageHasULFlammabilityClassifi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR4030WT	文件：1.04642 Mbytes Page：2 Pages	40AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts Features •HighSurgeCapacity •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability,LowVF •MetalofsiliconRectifier,majorityCarrierConduction •GuardRingForTransientProtection •PlasticPackageHasULFlammabilityClassification94V-0	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRB4030	文件：71.54 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier UsingtheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal.Thesestate–of–the–artdeviceshavethefollowingfeatures: •GuardringforStressProtection •MaximumDieSize •150°COperatingJunctionTemperature •ShortHeatSinkTabManufactured–NotSh	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRB4030	文件：69.32 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier SWITCHMODEPowerRectifier Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal. Features •GuardringforStressProtection •MaximumDieSize •175°COperatingJunctionTemperature •ShortHeatSinkTabManufactured−NotSheared •Pb−FreePack	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRB4030	文件：282.35 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Schottkybarrierchip •LowPowerLoss,HighEfficiency •Guardringfortransientprotection •HighOperatingJunctionTemperature •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Foruseinhighfrequency	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBRB4030	文件：247.89 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150°CTJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •This	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC

详细参数

型号：
MAX4030EESA-T
功能描述：
高速运算放大器
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1 电压增益
dB：
116 dB
输入补偿电压：
0.5 mV
转换速度：
55 V/us
工作电源电压：
36 V
电源电流：
7.5 mA
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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