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MMKP383	文件：218.13 Kbytes Page：26 Pages	ACandPulseDoubleMetallizedPolypropyleneFilmCapacitorsMMKPRadialPottedType	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMKP383	文件：167.53 Kbytes Page：16 Pages	ACandPulseDoubleMetallizedPolypropyleneFilmCapacitors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MMKP383	文件：202.9 Kbytes Page：19 Pages	ACandPulseDoubleMetallizedPolypropyleneFilmCapacitorsMMKPRadialPottedType FEATURES 7.5mmbentbackpitch.15mmto27.5mmleadpitch.Lowcontactresistance.Lowlossdielectric. Smalldimensionsforhighdensitypackaging. Suppliedlooseinboxandtapedonreel Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
NCP383	文件：163.55 Kbytes Page：10 Pages	AdjustableCurrent-LimitingPower-DistributionSwitches	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE383	文件：19.98 Kbytes Page：2 Pages	SiliconComplementaryTransistorsAudioFrequencyDriver SiliconComplementaryTransistorsAudioFrequencyDriver	NTE NTE Electronics	NTE
OPA383	文件：1.63046 Mbytes Page：29 Pages	OPAx383Low-Power,High-Precision,2.5MHz,Zero-DriftOpAmp 1Features •Ultra-lowoffsetvoltage:±5μV(maximum) •Zerodrift:±0.025μV/°C •Low-inputbiascurrent:50pA(maximum) •Lownoise:32nV√Hzat1kHz •No1/fnoise:650nVPP(0.1Hzto10Hz) •Common-modeinputrange±100mVbeyond supplyrails •Gainbandwidth:2.5MHz •Quiescentcurrent:	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPAX383	文件：1.63046 Mbytes Page：29 Pages	OPAx383Low-Power,High-Precision,2.5MHz,Zero-DriftOpAmp 1Features •Ultra-lowoffsetvoltage:±5μV(maximum) •Zerodrift:±0.025μV/°C •Low-inputbiascurrent:50pA(maximum) •Lownoise:32nV√Hzat1kHz •No1/fnoise:650nVPP(0.1Hzto10Hz) •Common-modeinputrange±100mVbeyond supplyrails •Gainbandwidth:2.5MHz •Quiescentcurrent:	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PS383CPE	文件：528.08 Kbytes Page：9 Pages	Precision,17VAnalogSwitches Description ThePS381/PS383/PS385areimprovedhighprecision,mediumvoltageanalogswitchesdesignedtooperatewith+3Vto±8Vpowersupplies. Features •LowOn-Resistance(16Ωtyp)MinimizesDistortionandErrorVoltages •LowGlitchingReducesStepErrorsinSample-and-Holds.ChargeInjec	PERICOMPericom Semiconductor Corporation 百利通百利通半导体	PERICOM
PS383CSE	文件：528.08 Kbytes Page：9 Pages	Precision,17VAnalogSwitches Description ThePS381/PS383/PS385areimprovedhighprecision,mediumvoltageanalogswitchesdesignedtooperatewith+3Vto±8Vpowersupplies. Features •LowOn-Resistance(16Ωtyp)MinimizesDistortionandErrorVoltages •LowGlitchingReducesStepErrorsinSample-and-Holds.ChargeInjec	PERICOMPericom Semiconductor Corporation 百利通百利通半导体	PERICOM
PS383EPE	文件：528.08 Kbytes Page：9 Pages	Precision,17VAnalogSwitches Description ThePS381/PS383/PS385areimprovedhighprecision,mediumvoltageanalogswitchesdesignedtooperatewith+3Vto±8Vpowersupplies. Features •LowOn-Resistance(16Ωtyp)MinimizesDistortionandErrorVoltages •LowGlitchingReducesStepErrorsinSample-and-Holds.ChargeInjec	PERICOMPericom Semiconductor Corporation 百利通百利通半导体	PERICOM

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详细参数

型号：
MAX383EJE
功能描述：
模拟开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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