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PMF3800SN	文件：351.1 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PMF3800SN	文件：83.06 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMF3800SN	文件：1.01313 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMF3800SN	文件：453.23 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits E	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
QS3800	文件：45.23 Kbytes Page：5 Pages	QUICKSWITCHPRODUCTSHIGH-SPEEDCMOS10-BITQUICKSWITCHWITHPRECHARGEDOUTPUTS	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
RF3800	文件：59.8 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHBTPRE-DRIVERAMPLIFIER ProductDescription TheRF3800isspecificallydesignedforwirelessinfrastructureapplicationsat450MHzand850MHz.UsingahighlyreliableGaAsHBTfabricationprocess,thishigh-performancesingle-stageamplifierachieveshighoutputpoweroverabroadfrequencyrange.TheRF3800alsoprovid	RFMD RF Micro Devices	RFMD

详细参数

型号：
MAX3800UGJ-T
功能描述：
以太网 IC
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
Ethernet Switches
收发器数量：
2
数据速率：
10 Mb/s, 100 Mb/s
电源电压-最大：
1.25 V, 3.45 V
电源电压-最小：
1.15 V, 3.15 V
最大工作温度：
+ 85 C
封装/箱体：
QFN-64
封装：
Tray

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